Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
H2PAK-2
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
140 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29,3 nC při 10 V
Breite
15.8mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
4.8mm
Podrobnosti o výrobku
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,955
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 4,955
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 8 | € 4,955 | € 9,91 |
10 - 18 | € 4,65 | € 9,30 |
20 - 48 | € 4,41 | € 8,82 |
50 - 98 | € 4,16 | € 8,32 |
100+ | € 3,96 | € 7,92 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
H2PAK-2
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
140 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29,3 nC při 10 V
Breite
15.8mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
4.8mm
Podrobnosti o výrobku