řada: STripFET F7MOSFET STH410N4F7-6AG N-kanálový 200 A 40 V, H2PAK, počet kolíků: 6 + Tab Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 111-6467Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STH410N4F7-6AG
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

200 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

STripFET F7

Gehäusegröße

H2PAK

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6 + Tab

Maximální odpor kolektor/zdroj

1,1 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

365 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

8.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

141 nC při 10 V

Breite

10.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Höhe

4.8mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics

Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: STripFET F7MOSFET STH410N4F7-6AG N-kanálový 200 A 40 V, H2PAK, počet kolíků: 6 + Tab Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 1
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

řada: STripFET F7MOSFET STH410N4F7-6AG N-kanálový 200 A 40 V, H2PAK, počet kolíků: 6 + Tab Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 1
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

200 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

STripFET F7

Gehäusegröße

H2PAK

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6 + Tab

Maximální odpor kolektor/zdroj

1,1 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

365 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

8.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

141 nC při 10 V

Breite

10.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Höhe

4.8mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics

Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more