Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
5W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
60nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
6.35 mm
Výška
0.95mm
Délka
5.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 10,42
€ 2,084 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 10,42
€ 2,084 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
5W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
60nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
6.35 mm
Výška
0.95mm
Délka
5.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


