Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Řada
STripFET H7
Package Type
PowerFLAT
Mount Type
Surface
Pinanzahl
8
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typický náboj brány Qg @ Vgs
60nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Minimum Operating Temperature
-10°C
Maximální ztrátový výkon Pd
5W
Maximální pracovní teplota
175°C
Länge
5.4mm
Normy/schválení
No
Height
0.95mm
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 713,74
€ 1,238 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 3 713,74
€ 1,238 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Řada
STripFET H7
Package Type
PowerFLAT
Mount Type
Surface
Pinanzahl
8
Maximální odpor zdroje Rds
6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typický náboj brány Qg @ Vgs
60nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Minimum Operating Temperature
-10°C
Maximální ztrátový výkon Pd
5W
Maximální pracovní teplota
175°C
Länge
5.4mm
Normy/schválení
No
Height
0.95mm
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


