Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
140 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET F7
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
5.2mm
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 9,59
€ 1,918 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,59
€ 1,918 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,918 | € 9,59 |
| 10+ | € 1,822 | € 9,11 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
140 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET F7
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
5.2mm
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.


