Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
140A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Řada
STripFET F7
Typ balení
PowerFLAT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
2mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
55nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
0.95mm
Délka
6.15mm
Normy/schválení
No
Breite
5.2 mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 9,59
€ 1,918 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,59
€ 1,918 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,918 | € 9,59 |
| 10+ | € 1,822 | € 9,11 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
140A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Řada
STripFET F7
Typ balení
PowerFLAT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
2mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
55nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
0.95mm
Délka
6.15mm
Normy/schválení
No
Breite
5.2 mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.


