Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
35mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
75W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
14nC
Přímé napětí Vf
1.1V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
5.4 mm
Výška
0.95mm
Länge
6.35mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3,22
€ 0,644 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 3,22
€ 0,644 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
35mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
75W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
14nC
Přímé napětí Vf
1.1V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
5.4 mm
Výška
0.95mm
Länge
6.35mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


