řada: STripFETMOSFET STL42P6LLF6 P-kanálový 42 A 60 V, PowerFLAT 5 x 6, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
42 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
34 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 4,5 V
Höhe
0.95mm
Řada
STripFET
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,80
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,80
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
42 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
34 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 4,5 V
Höhe
0.95mm
Řada
STripFET
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products