Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
PowerFLAT
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
16.5mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
5W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
25nC
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
6.35 mm
Výška
0.95mm
Délka
5.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 18,80
€ 0,752 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 18,80
€ 0,752 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
25
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 0,752 | € 3,76 |
| 50 - 120 | € 0,698 | € 3,49 |
| 125 - 245 | € 0,682 | € 3,41 |
| 250+ | € 0,664 | € 3,32 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
PowerFLAT
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
16.5mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
5W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
25nC
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
6.35 mm
Výška
0.95mm
Délka
5.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


