řada: STripFET F3MOSFET STL8N10LF3 N-kanálový 20 A 100 V, PowerFLAT 5 x 6, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
STripFET F3
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,5 nC při 10 V
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2 512,65
€ 0,838 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 2 512,65
€ 0,838 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
STripFET F3
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,5 nC při 10 V
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products