Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
20A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
PowerFLAT
Řada
STripFET F3
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
50mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
20.5nC
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
6.15mm
Normy/schválení
No
Breite
5.2 mm
Výška
0.95mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 34,98
€ 1,166 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
30
€ 34,98
€ 1,166 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
30
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 30 - 90 | € 1,166 | € 11,66 |
| 100 - 490 | € 0,919 | € 9,19 |
| 500 - 990 | € 0,732 | € 7,32 |
| 1000+ | € 0,714 | € 7,14 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
20A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
PowerFLAT
Řada
STripFET F3
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
50mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
20.5nC
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
6.15mm
Normy/schválení
No
Breite
5.2 mm
Výška
0.95mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


