Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
400 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.25V
Maximální ztrátový výkon
3.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 8,23
€ 0,823 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 8,23
€ 0,823 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 10 | € 0,823 | € 8,23 |
20+ | € 0,782 | € 7,82 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
400 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.25V
Maximální ztrátový výkon
3.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku