Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
250 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Gehäusegröße
SOT223
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 10 V
Breite
3.5mm
Höhe
1.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 12,50
€ 0,125 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 12,50
€ 0,125 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,125 | € 1,25 |
| 500 - 990 | € 0,106 | € 1,06 |
| 1000+ | € 0,085 | € 0,85 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
250 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Gehäusegröße
SOT223
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 10 V
Breite
3.5mm
Höhe
1.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


