řada: STripFETMOSFET STN3NF06L N-kanálový 4 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,91
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 0,91
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,91 | € 4,55 |
| 10 - 20 | € 0,79 | € 3,95 |
| 25 - 95 | € 0,75 | € 3,75 |
| 100 - 495 | € 0,54 | € 2,70 |
| 500+ | € 0,45 | € 2,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products