Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 5 V
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,16
Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 0,16
Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 5 V
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.8mm
Podrobnosti o výrobku