řada: STripFETMOSFET STN3P6F6 P-kanálový 3 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2,6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Propustné napětí diody
1.1V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 33,00
€ 0,66 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 33,00
€ 0,66 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,66 | € 6,60 |
| 100 - 240 | € 0,593 | € 5,93 |
| 250 - 490 | € 0,534 | € 5,34 |
| 500+ | € 0,508 | € 5,08 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2,6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Propustné napětí diody
1.1V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products