Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
3A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOT-223
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
160mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
2.6W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6.4nC
Přímé napětí Vf
-1.1V
Maximální provozní teplota
175°C
Šířka
3.7 mm
Höhe
1.8mm
Délka
6.7mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 544,69
€ 0,386 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 1 544,69
€ 0,386 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
4000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
3A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOT-223
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
160mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
2.6W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6.4nC
Přímé napětí Vf
-1.1V
Maximální provozní teplota
175°C
Šířka
3.7 mm
Höhe
1.8mm
Délka
6.7mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


