Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
750mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
50nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4.6 mm
Výška
9.3mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 92,40
€ 1,848 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 92,40
€ 1,848 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,848 | € 92,40 |
| 100 - 450 | € 1,438 | € 71,89 |
| 500 - 950 | € 1,222 | € 61,08 |
| 1000 - 4950 | € 1,016 | € 50,82 |
| 5000+ | € 0,961 | € 48,05 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
750mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
50nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4.6 mm
Výška
9.3mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


