Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
8.6A
Maximální napětí na zdroji Vds
700V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
850mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
64nC
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
16.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 91,20
€ 1,824 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 91,20
€ 1,824 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,824 | € 91,20 |
| 100 - 450 | € 1,465 | € 73,23 |
| 500 - 950 | € 1,297 | € 64,84 |
| 1000 - 4950 | € 1,096 | € 54,81 |
| 5000+ | € 1,054 | € 52,71 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
8.6A
Maximální napětí na zdroji Vds
700V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
850mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
64nC
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
16.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


