Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
72nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
4.6 mm
Výška
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 13,80
€ 2,76 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 13,80
€ 2,76 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,76 | € 13,80 |
| 25 - 45 | € 2,618 | € 13,09 |
| 50 - 120 | € 2,36 | € 11,80 |
| 125 - 245 | € 2,124 | € 10,62 |
| 250+ | € 2,018 | € 10,09 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
72nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
4.6 mm
Výška
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


