Ne, řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 120 A 100 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
10.5mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
172nC
Maximální ztrátový výkon Pd
312W
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
9.15mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 105,00
€ 2,10 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 105,00
€ 2,10 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
10.5mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
172nC
Maximální ztrátový výkon Pd
312W
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
9.15mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products