Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
10.5mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
312W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
172nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Výška
9.15mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 6,79
€ 3,395 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
2
€ 6,79
€ 3,395 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
10.5mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
312W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
172nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Výška
9.15mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


