Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
MDmesh K5, SuperMESH5
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
450 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 13,74
€ 2,748 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 13,74
€ 2,748 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
MDmesh K5, SuperMESH5
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
450 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku