Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET F7
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
158 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 10,80
€ 2,16 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 10,80
€ 2,16 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,16 | € 10,80 |
| 25 - 45 | € 2,052 | € 10,26 |
| 50 - 120 | € 1,846 | € 9,23 |
| 125 - 245 | € 1,664 | € 8,32 |
| 250+ | € 1,576 | € 7,88 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET F7
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
158 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.


