řada: MDmesh M2MOSFET STP18N60M2 N-kanálový 13 A 650 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh M2
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,5 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
15.75mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 64,80
€ 1,296 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 64,80
€ 1,296 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,296 | € 64,80 |
| 100 - 200 | € 1,038 | € 51,92 |
| 250+ | € 1,013 | € 50,63 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh M2
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,5 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
15.75mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products