Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25/25 V
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Šířka
4.6 mm
Länge
10.4mm
Výška
15.75mm
Počet prvků na čip
1
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25/25 V
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Šířka
4.6 mm
Länge
10.4mm
Výška
15.75mm
Počet prvků na čip
1
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).


