Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
290 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.3mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 6,24
Each (bez DPH)
1
€ 6,24
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 6,24 |
10 - 99 | € 5,31 |
100 - 499 | € 4,25 |
500 - 999 | € 3,78 |
1000+ | € 3,19 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
290 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.3mm
Podrobnosti o výrobku