Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
290 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.3mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 13,18
€ 6,59 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
2
€ 13,18
€ 6,59 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
290 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.3mm
Podrobnosti o výrobku