řada: DeepGate, STripFETMOSFET STP240N10F7 N-kanálový 110 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
DeepGate, STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
160 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 125,00
€ 2,50 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 125,00
€ 2,50 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,50 | € 125,00 |
| 100 - 200 | € 2,436 | € 121,79 |
| 250+ | € 2,375 | € 118,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
DeepGate, STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
160 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products