Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.2mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 130,91
€ 2,618 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 130,91
€ 2,618 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,618 | € 130,91 |
| 100 - 200 | € 2,55 | € 127,51 |
| 250+ | € 2,487 | € 124,36 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.2mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


