Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.2mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
4.6 mm
Výška
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,51
€ 3,755 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 7,51
€ 3,755 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,755 | € 7,51 |
| 10 - 18 | € 3,635 | € 7,27 |
| 20 - 48 | € 3,545 | € 7,09 |
| 50 - 98 | € 3,45 | € 6,90 |
| 100+ | € 3,36 | € 6,72 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.2mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
175°C
Šířka
4.6 mm
Výška
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


