řada: DeepGate, STripFETMOSFET STP260N6F6 N-kanálový 120 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
DeepGate, STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
183 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 8,33
€ 8,33 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 8,33
€ 8,33 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 4 | € 8,33 |
| 5 - 9 | € 7,91 |
| 10 - 24 | € 7,13 |
| 25 - 49 | € 6,41 |
| 50+ | € 6,07 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
DeepGate, STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
183 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products