řada: DeepGate, STripFETMOSFET STP260N6F6 N-kanálový 120 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 920-8751Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STP260N6F6
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

DeepGate, STripFET

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Breite

4.6mm

Počet prvků na čip

1

Länge

10.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

183 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 250,64

€ 5,013 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: DeepGate, STripFETMOSFET STP260N6F6 N-kanálový 120 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

50

Dostupné v násobkoch 50
50€ 250,64
100€ 501,28
150€ 751,92
200€ 1 002,56
250€ 1 253,20
300€ 1 503,84
350€ 1 754,48
400€ 2 005,12
450€ 2 255,76
500€ 2 506,40
550€ 2 757,04
600€ 3 007,68
650€ 3 258,32
700€ 3 508,96
750€ 3 759,60

€ 250,64

€ 5,013 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: DeepGate, STripFETMOSFET STP260N6F6 N-kanálový 120 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

50

Dostupné v násobkoch 50
50€ 250,64
100€ 501,28
150€ 751,92
200€ 1 002,56
250€ 1 253,20
300€ 1 503,84
350€ 1 754,48
400€ 2 005,12
450€ 2 255,76
500€ 2 506,40
550€ 2 757,04
600€ 3 007,68
650€ 3 258,32
700€ 3 508,96
750€ 3 759,60

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

DeepGate, STripFET

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Breite

4.6mm

Počet prvků na čip

1

Länge

10.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

183 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more