Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
183nC
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 144,54
€ 2,891 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 144,54
€ 2,891 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
183nC
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


