řada: STripFETMOSFET STP30NF10 N-kanálový 35 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
45 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
115 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 52,06
€ 1,041 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 52,06
€ 1,041 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,041 | € 52,06 |
| 100+ | € 0,989 | € 49,46 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
45 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
115 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products