Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
Výkonový MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-220
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
2.7mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
180nC
Maximální ztrátový výkon Pd
315W
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 164,69
€ 3,294 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 164,69
€ 3,294 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,294 | € 164,69 |
| 100 - 450 | € 3,208 | € 160,41 |
| 500+ | € 3,129 | € 156,46 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
Výkonový MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-220
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
2.7mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
180nC
Maximální ztrátový výkon Pd
315W
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


