Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonový MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-220
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
2.7mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
315W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
180nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,38
€ 4,19 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 8,38
€ 4,19 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,19 | € 8,38 |
| 10 - 98 | € 3,575 | € 7,15 |
| 100 - 498 | € 3,15 | € 6,30 |
| 500+ | € 3,065 | € 6,13 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonový MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-220
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
2.7mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
315W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
180nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


