Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-18 V, +18 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,62
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 0,62
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-18 V, +18 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku