Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET II
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
28 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
80 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
32 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.15mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 44,42
€ 0,888 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 44,42
€ 0,888 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,888 | € 44,42 |
| 100 - 450 | € 0,664 | € 33,18 |
| 500 - 950 | € 0,563 | € 28,16 |
| 1000 - 4950 | € 0,451 | € 22,57 |
| 5000+ | € 0,411 | € 20,57 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET II
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
28 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
80 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
32 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.15mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


