Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
38A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
28mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
80W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
32nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
9.15mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 32,88
€ 0,658 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 32,88
€ 0,658 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,658 | € 32,88 |
| 100 - 450 | € 0,491 | € 24,56 |
| 500 - 950 | € 0,417 | € 20,84 |
| 1000 - 4950 | € 0,334 | € 16,70 |
| 5000+ | € 0,305 | € 15,23 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
38A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
28mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
80W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
32nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
9.15mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


