Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
38A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
28mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
80W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
32nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
9.15mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3,55
€ 0,71 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 3,55
€ 0,71 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,71 | € 3,55 |
| 10 - 20 | € 0,64 | € 3,20 |
| 25 - 95 | € 0,61 | € 3,05 |
| 100 - 495 | € 0,454 | € 2,27 |
| 500+ | € 0,386 | € 1,93 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
38A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
28mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
80W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
32nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
9.15mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


