Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
160 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,52
€ 5,52 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 5,52
€ 5,52 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 5,52 |
5 - 9 | € 5,24 |
10 - 24 | € 4,72 |
25 - 49 | € 4,26 |
50+ | € 4,03 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
160 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku