Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
14mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Betriebstemperatur min.
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
15 V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Höhe
9.15mm
Breite
4.6 mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 53,58
€ 1,072 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 53,58
€ 1,072 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,072 | € 53,58 |
| 100 - 450 | € 0,87 | € 43,51 |
| 500 - 950 | € 0,73 | € 36,49 |
| 1000 - 4950 | € 0,656 | € 32,80 |
| 5000+ | € 0,539 | € 26,95 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
14mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Betriebstemperatur min.
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
15 V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Höhe
9.15mm
Breite
4.6 mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


