Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
23mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
104nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 37,62
€ 0,752 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 37,62
€ 0,752 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,752 | € 37,62 |
| 100 - 450 | € 0,585 | € 29,23 |
| 500 - 950 | € 0,498 | € 24,90 |
| 1000 - 4950 | € 0,417 | € 20,84 |
| 5000+ | € 0,39 | € 19,52 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
23mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
104nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


