Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 97,01
€ 1,94 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 97,01
€ 1,94 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


