Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5.8A
Maximální napětí na zdroji Vds
900V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
2Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.2V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
30W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Délka
10.4mm
Výška
9.3mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 97,01
€ 1,94 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 97,01
€ 1,94 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5.8A
Maximální napětí na zdroji Vds
900V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
2Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.2V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
30W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Délka
10.4mm
Výška
9.3mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


