Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Enhancement
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
115 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Enhancement
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
115 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Podrobnosti o výrobku


