řada: MDmesh, SuperMESHMOSFET STP9NK50Z N-kanálový 7,2 A 500 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
32 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 64,20
€ 1,284 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 64,20
€ 1,284 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,284 | € 64,20 |
| 100+ | € 1,22 | € 61,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
32 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products