Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220
Maximální trvalý dopředný proud If
12A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Řada
STPSC12065-Y
Diodová konfigurace
Single
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
1mA
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
220A
Maximální dopředné napětí Vf
1.65V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Automobilová silikonová Carbide (SiC) Schottky Dioda, STMicroelectronics
Dioda Siloun Carbide (SiC) je velmi výkonný zesilovač Schottky. Tyto díly s indexem -Y k číslu dílu jsou z automobilové kvality, kompatibilní s AEC-Q101.
Vysoce efektivní přidává hodnotu k napájecímu měniči
Snižuje velikost a náklady na napájecí měnič
Nízký dopad EMC, zjednodušuje certifikaci a zkracuje dobu uvedení na trh
Natural high robustnost zajišťující velmi vysokou spolehlivost
Ne nebo zanedbatelné zpětné získání
Chování přepínání nezávislé na teplotě
Vysoce rychlý nárůst
PPAP schopný
Komponent vyhovující normě Ecopack 2
Způsobilost AEC-Q101
Kódy RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR SiC Schottky Dioda 650V 10A ²PAK
124-1124 Dioda STPSC12065DY SiC Schottky 650V 12A až-220AC
124-1127 STPSC20065DY dioda siC 650V 20A až-220AC
124-1128 STPSC20065WY Siotkova dioda 650V 20A DO-247
124-1129 STPSC40065CWY SiC Schottky Dioda Dual 650V 20A až-247
Approvals
AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 4,84
€ 2,42 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
2
€ 4,84
€ 2,42 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220
Maximální trvalý dopředný proud If
12A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Řada
STPSC12065-Y
Diodová konfigurace
Single
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
1mA
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
220A
Maximální dopředné napětí Vf
1.65V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
4.6 mm
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Automobilová silikonová Carbide (SiC) Schottky Dioda, STMicroelectronics
Dioda Siloun Carbide (SiC) je velmi výkonný zesilovač Schottky. Tyto díly s indexem -Y k číslu dílu jsou z automobilové kvality, kompatibilní s AEC-Q101.
Vysoce efektivní přidává hodnotu k napájecímu měniči
Snižuje velikost a náklady na napájecí měnič
Nízký dopad EMC, zjednodušuje certifikaci a zkracuje dobu uvedení na trh
Natural high robustnost zajišťující velmi vysokou spolehlivost
Ne nebo zanedbatelné zpětné získání
Chování přepínání nezávislé na teplotě
Vysoce rychlý nárůst
PPAP schopný
Komponent vyhovující normě Ecopack 2
Způsobilost AEC-Q101
Kódy RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR SiC Schottky Dioda 650V 10A ²PAK
124-1124 Dioda STPSC12065DY SiC Schottky 650V 12A až-220AC
124-1127 STPSC20065DY dioda siC 650V 20A až-220AC
124-1128 STPSC20065WY Siotkova dioda 650V 20A DO-247
124-1129 STPSC40065CWY SiC Schottky Dioda Dual 650V 20A až-247
Approvals
AEC-Q101


