řada: STripFET VMOSFET STR2N2VH5 N-kanálový 2,3 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
STripFET V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 4,5 V
Breite
1.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,11
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
€ 0,11
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
STripFET V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 4,5 V
Breite
1.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products